» » » Toshiba представила флеш-память 3D NAND с рекордным объёмом в 1,5 ТБ

Toshiba представила флеш-память 3D NAND с рекордным объёмом в 1,5 ТБ

Toshiba представила флеш-память 3D NAND с рекордным объёмом в 1,5 ТБКомпании Toshiba Memory Corporation и Western Digital информируют об окончании работы над четвёртым поколением флеш-памяти BiCS (Bit-Cost-Scaling), которое разрешает создание 96-слойных чипов. Первые 256-гигабитные микросхемы TLC NAND, изготовленные по новой технологии, начнут поступать OEM-партнёрам корпораций уже во второй половине этого года, а их массовое производство начнется в следующем году.

Интересно, что чипсеты BiCS4 будут доступны в версиях не только с тремя (TLC), но и четырьмя битами на ячейку (QLC), и это разрешит дополнительно увеличить плотность хранения информации. В частности, 64-слойный прототип 3D QLC NAND характеризуется ёмкостью 768 Гбит (96 Гбайт). При этом допускается объединение таких 16 кристаллов в одном корпусе, что позволяет создавать микросхемы флеш-памяти с рекордным объёмом в 1,5 терабайта. Образцы подобных чипов будут показаны на мероприятии Flash Memory Summit, которое состоится в августе в Санта-Кларе.

И хотя новинки 3D QLC NAND будут отличаться более низкой ценой, по сравнению с решениями TLC или MLC, они будут допускать меньшее число перезаписей, чем более дорогие аналоги. Таким образом, новые ядра найдут применение в самых бюджетных твердотельных накопителях или девайсах большого объёма, которые используются для архивного хранения информационных данных.

Похожие публикации

Apple хочет приобрести часть акций Toshiba

Корпорация Apple сообщила, что желает купить часть акций Toshiba, и речь, конечно же, идёт в первую очередь о дочерних фирмах по выпуску микросхем и встроенной флеш-памяти. В данный момент Toshiba имеет финансовые трудности из-за банкротства своего

Фирма Intel анонсировала первый накопитель на платформе памяти 3D XPoint

Компания Intel официально анонсировала первый твердотельный накопитель на платформе памяти 3D Xpoint, который назвали Optane SSD DC P4800X. Он характеризуется объёмом в 375 ГБ и предназначен для использования в центрах обработки данных. Напоминаем,

Планы Micron: в начале 2018 года анонсировать память GDDR6

На аналитической конференции в городе Скоттсдейл (США), руководители американской компании Micron, сделали отчет о положении дел в фирме и поделились планами на будущее. Они сообщили, что инженеры работают над новейшей 64-слойной памятью 3D NAND

Samsung Electronics официально представит SSD 850 Pro на CES 2017

На выставке CES 2017, которая пройдёт с 6 по 8 января следующего года в Лас-Вегасе, Samsung собирается представить нового члена линейки твердотельных накопителей 850 Pro, основанного на чипах памяти 3D V-NAND MLC новой модели, объёмом 4 ТБ.

Добавить комментарий

  • Или водите через социальные сети
  • Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив