
Итак, пока Optane P4800X ёмкостью 375 Гбайт действительно одна в серии, но интересно изготовление плат 3D XPoint по нормам 20 нм. Память 3D XPoint - это ячейки на базе вещества с изменяемым фазовым состоянием и, в общем-то, её можно считать разновидностью памяти ReRAM, поскольку информация считывается с помощью измерения тока, проходящего через ячейку, а также, когда материал в ячейке находится в аморфном состоянии, ток через неё не проходит, а если в кристаллическом (с низким сопротивлением) - токи протекают.
Выходит, что перспективные виды энергонезависимой памяти пока никто, кроме Intel и Micron, не производит с использованием столь передовых технологических норм, как 20 нм, в лучшем случае, разговор идёт о 40-нм техпроцессе. Даже память 3D NAND производится с техпроцессами 45-35 нм, что говорит о том, что Intel и Micron создали хороший задел на направлении перехода к новым типам энергонезависимой памяти.
Но вряд ли они рискнут вложить в это направление так много, чтобы начать распределять рынок, поэтому, скорее всего, в ожидании 3D XPoint придётся немножко подождать.