» » » Планы Micron: в начале 2018 года анонсировать память GDDR6

Планы Micron: в начале 2018 года анонсировать память GDDR6

На аналитической конференции в городе Скоттсдейл (США), руководители американской компании Micron, сделали отчет о положении дел в фирме и поделились планами на будущее. Они сообщили, что инженеры работают над новейшей 64-слойной памятью 3D NAND второго поколения, которая разрешит значительно повысить ёмкость процессоров и сократить цену на бит (для TLC), по минимум на 30%.

По информации, будут доступны микросхемы TLC ёмкостью 768 Гбит и MLC - 512 Гбит (для 32-слойной 3D NAND эти цифры составляют 384 Гбит и 256 Гбит соответственно), но на данном этапе уже имеются образцы новых чипсетов, предназначенные для тестирования, однако массовое производство произойдет не раньше декабря. Кроме того, разрабатывается 3D NAND третьего поколения, появление которой ожидается во второй половине 2018 года, а также флеш-память QLC NAND, которые могут позволять хранить четыре бита в одной ячейке.

Также, в этом году начнется выпуск памяти DRAM под кодовым названием «1Xnm», по технологическим нормам менее 20 нм, что позволит сократить цену конечных продуктов более чем на 20%, за счет увеличения выхода микросхем с каждой полупроводниковой пластины. И еще, ведутся проработки технологических процессов с кодовыми именами «1Ynm» и «1Znm», причем производство кристаллов 1Y должно быть ближе к осени.


GDDR6 с частотами до 15 ГГц собираются анонсировать в начале 2018 года. Напоминаем, что Micron является эксклюзивным производителем памяти GDDR5X, которая является переходником между GDDR5 и GDDR6.

Добавить комментарий

  • Или войдите через социальные сети
  • Кликните на изображение чтобы обновить код, если он неразборчив