
Производители уменьшили габариты новейшего чипа Snapdragon 835 до 12x12,7 миллиметров, изготовленного с применением 10-нм техпроцесса FinFET. Он оснащен восемью 64-битными ядрами Kryo 280 со структурой ARMv8, видеокартой Adreno 540 частотой 680 МГц, оперативной памятью LPDRR4X, а в тесте бенчмарка AnTuTu процессор набрал 181 тысячу очков и поставил новый рекорд. Эксперты считают его мощным процессором, вставляемым в девайсы Samsung Galaxy S8 и Xiaomi Mi 6. Первые устройства на базе Snapdragon 835 выставят в рамках выставки MWC 2017 в январе 2017 года. Также он (процессор) обладает технологией быстрой зарядки Qiuck Charge 4.0 и будет дебютировать в первой половине 2017 года.